IRF740 – Transistor MOSFET Canal N (400V 10A 550mΩ)
R$9,50
Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.
Especificações:
– Código: IRF740 (Datasheet)
– Encapsulamento: TO-220AB
– Montagem: PTH (Pin Through Hole)
– Tensão máxima de dreno (VDS): 400 V
– Corrente de dreno contínuo (ID): 10 A (TC = 25°C)
– Tensão máxima de gate (VGS): ± 20 V
– Resistência de dreno (RDS): 550 mΩ (VGS = 10V)
– Dissipação de potência (PD): 125 W (TC = 25°C)
– Temperatura de operação: -55 a 150 °C
– Fabricante: Variável de acordo com o estoque
