IRF540N – Transistor MOSFET Canal N (100V 33A 40mΩ)
R$4,90
Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.
Especificações:
– Código: IRF540N (Datasheet)
– Encapsulamento: TO-220AB
– Montagem: PTH (Pin Through Hole)
– Tensão máxima de dreno (VDS): 100V
– Corrente de dreno contínuo (ID): 33A (TC = 25°C)
– Tensão máxima de gate (VGS): ± 20V
– Resistência de dreno (RDS): 40mΩ (VGS = 10V)
– Dissipação de potência (PD): 120W (TC = 25°C)
– Temperatura de operação: -55°C a 175°C
– Fabricante: Variável de acordo com o estoque
