IRF2807 – Transistor MOSFET Canal N (75V 82A 13mΩ)
R$9,90
Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Canal N.
Especificações:
– Código: IRF2807PbF (Datasheet)
– Encapsulamento: TO-220AB
– Montagem: PTH (Pin Through Hole)
– Tensão máxima de dreno (Vdss): 75 V
– Corrente de dreno contínuo (Id): 82 A (Tc = 25°C)
– Tensão máxima de gate (Vgs): ± 20 V
– Resistência de dreno (Rds on): 13 mΩ (Vgs = 10V)
– Dissipação de potência (Pd): 230 W (Tc = 25°C)
– Temperatura de operação: -55 a 175 °C
– Fabricante: IR – Infineon
